یکی از اصلی‌ترین موضوعات مورد تمرکز شرکت به رویان جوانه یاقوت، توسعه دانش فنی تجهیزات مورد نیاز فرآیندهای رشد بلور نیمه هادی‌هاست. فراگیرترین روش رشد تک بلور سیلیکون و ژرمانیوم برای تولید ویفر و کاربردهای دیگر فرآیند چاکرالسکی است. این فرآیند برای عناصر دیگر نیز کاربرد دارد ولی در مورد سیلیکون و ژرمانیوم بصورت ویژه مورد توجه قرار گرفته است. علت اساسی استفاده از این روش در برابر روش‌های دیگر به کیفیت بالای تمام شده تک بلورهای سیلیکونی در این روش برمی‌گردد که در صنایع مختلف دارای اهمیت ویژه‌ای است.

کوره رشد تک بلور چاکرالسکی تولید شده قابلیت رشد تک بلورهای نیمه هادی از قبیل سیلیکون، ژرمانیوم و گالیوم آرسناید را با خلوص بالا داراست. البته کریستال‌های مورد استفاده لیزر و اپتیک نیز در محدوده دمای پایین این دستگاه قابل تولید است. با برش شمش‌های تک بلور سیلیکونی تولید شده، ویفرهای سیلیکونی که سنگ بنای سلول‌های خورشیدی هستند ساخته می‌شود.

این فعالیت فناورانه در حوزه‌های هایتک الکترونیک، سلول‌های خورشیدی و پژوهش‌های ابزار دقیق و نانوفناورانه مورد استفاده قرار می‌گیرد.